Tunnel field-effect transistor

Artykuł „Tunnel field-effect transistor“ w angielskiej Wikipedii posiada 32.3 punktów za jakość (stan na 1 lipca 2025 roku). Artykuł zawiera, oprócz innych wskaźników, 11 referencji oraz 6 sekcji. W tej wersji językowej Wikipedii artykuł ma najlepszą jakość. Również artykuł jest najbardziej popularny w tej wersji językowej (angielskiej).

Od czasu utworzenia artykułu "Tunnel field-effect transistor" jego treść była napisana przez 29 zarejestrowanych użytkowników angielskiej Wikipedii oraz edytowana przez 44 zarejestrowanych użytkowników Wikipedii we wszystkich wersjach jézykowych.

Ten artykuł jest cytowany 15 razy w angielskiej Wikipedii oraz cytowany 22 razy we wszystkich wersjach językowych.

Najwyższe zainteresowanie autorów od 2001 roku:

• Lokalny (Angielski): Nr 75492 w lutym 2015 roku
• Globalny: Nr 170462 w paździeriku 2022 roku

Najwyższa popularność w rankingu od 2008 roku:

• Lokalny (Angielski): Nr 281993 w kwietniu 2015 roku
• Globalny: Nr 488490 w kwietniu 2015 roku

Dla danego artykułu znaleziona 1 wersja językowa w bazie danych WikiRank (z 55 rozpatrywanych wersji językowych Wikipedii).

Dane z dnia 1 lipca 2025 roku.

Poniższa tabela przedstawia wersje językowe artykułu o najlepszej jakośći.

#	Język	Odznaka jakośći	Ocena jakośći
1	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		32.3338
2	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		25.4662
3	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		19.0971
4	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		18.0787
5	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		17.8027

Więcej...

Następna tabela zawiera najbardziej popularne wersje językowe tego artykułu.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Tunnel field-effect transistor" za cały czas

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		200 569
2	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		9 275
3	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		7 346
4	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		154
5	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		54

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największą popularnością za ostatni miesiąc.

Najpopularniejsze wersje językowe artykułu "Tunnel field-effect transistor" w czerwcu 2025

#	Język	Odznaka popularności	Ocena popularności
1	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		1 093
2	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		117
3	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		50
4	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		14
5	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		9

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów.

Wersje językowe artykułu "Tunnel field-effect transistor" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów). Tylko zarejestrowani użytkownicy Wikipedii zostały brane pod uwagę.

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		29
2	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		7
3	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		4
4	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		3
5	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		1

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje artykuły cieszące się największym zainteresowaniem autorów za ostatni miesiąc.

Wersje językowe artykułu "Tunnel field-effect transistor" o największym zainteresowaniu autorów (liczba autorów)

#	Język	Odznaka	Względne ZA
1	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		0
2	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		0
3	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		0
4	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		0
5	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		0

Więcej...

Poniższa tabela pokazuje wersje językowe artykułu z największą liczbą cytowań.

Wersje językowe artykułu "Tunnel field-effect transistor" o największym indeksie cytowań

#	Język	Nagroda za IC	Względny IC
1	Angielski (en) Tunnel field-effect transistor		15
2	Francuski (fr) Transistor à effet tunnel		4
3	Japoński (ja) トンネル電界効果トランジスタ		2
4	Perski (fa) ترانزیستور اثر میدان تونلی		1
5	Kataloński (ca) Transistor túnel d'efecte de camp		0

Więcej...

#	Język	Wartość
ca	Kataloński Transistor túnel d'efecte de camp
en	Angielski Tunnel field-effect transistor
fa	Perski ترانزیستور اثر میدان تونلی
fr	Francuski Transistor à effet tunnel
ja	Japoński トンネル電界効果トランジスタ

Najlepsza pozycja

Angielski: Nr 281993 04.2015

Globalny: Nr 488490 04.2015

Najlepsza pozycja

Angielski: Nr 75492 02.2015

Globalny: Nr 170462 10.2022

W dniu 16 marca 2026 roku w wielojęzycznej Wikipedii internauci najczęściej czytali artykuły na następujące tematy: 98. ceremonia wręczenia Oscarów, Michael B. Jordan, Grzesznicy, Jessie Buckley, Paul Thomas Anderson, Sean Penn, Jedna bitwa po drugiej, Amy Madigan, Hamnet, Timothée Chalamet.

W angielskiej Wikipedii najbardziej popularnymi artykułami w tym dniu były: 98th Academy Awards, Michael B. Jordan, Paul Thomas Anderson, Jessie Buckley, Sinners (2025 film), Amy Madigan, Autumn Durald Arkapaw, Maya Rudolph, Sean Penn, Academy Awards.

Projekt WikiRank jest przeznaczony do automatycznej względnej oceny artykułów w różnych wersjach językowych Wikipedii. Obecnie WikiRank pozwala porównywać ponad 44 mln artykułów Wikipedii w 55 językach. Wskaźniki jakośći artykułu są oparte na kopii zapasowej Wikipedia (stan na lipiec 2025). Przy obliczaniu popularności uwzględniono statystyki artykułów za ostatni miesiąc (w czerwcu 2025 roku). Przy obliczaniu aktualnej popularności oraz Zainteresowania Autorów (ZA) artykułów uwzględniono dane za czerwcu 2025 roku. Dla wartości historycznych popularności oraz ZA zostały wykorzystane dane z lat 2001-2025... Więcej informacji